電介質充放電系統
產品介紹
產品特點
儲能電介電放電行為
產品參數
擴展性強
可作為信號源
可用作極化材料
電流電壓
寄生電容小，動作時間短
適用多種樣品測試
放電電流高
變溫測試
疲勞測試
兩種測試模式
數據采集
可外接高壓放大器或高壓直流電源；
可以作為一個信號源，產生任意波形；
可用于極化材料之用；
電壓10kV，電流5mA。
本系統采用特殊高壓開關，通過單刀雙擲控制充電和放電過程，開關可以承受10kV高壓，寄生電容小，動作時間短；
可外接高壓放大器或高壓直流電源；
通過電流探頭檢測放電電流，可達100A；
可以進行變溫測試，RT~200℃；
可以進行疲勞測試；
實現欠阻尼和過阻尼兩種測試模式，欠阻尼測試時，放電回路短路，不使用電阻負載，過阻尼測試時，使用較大的精度高的無感電阻作為放電負載；
通過示波器采集數據，并能直接計算
儲能密度；
儲能密度；
技術概述/Technical Overview
序言/Preamble
典型的測試電路/Typical Test Circuit
利用放電電路進行測試/Discharge Circuit
PRODUCE INTRODUCTION
PRODUCE FEATURES
DIELECTRIC DISCHARGE BEHAVIOR
PRODUCE PARAMETERS
Huace-DCS10KV電介質充放電測試系統主要用于研究介電儲能材料高電壓放電性能。目前常規的方法是通過電滯回線計算高壓下電介質的能量密度，測試時，樣品的電荷是放回到高壓源上，而不是釋放到負載上，通過電滯回線測得的儲能密度一般會大于樣品實際釋放的能量密度，無法正確評估電介質材料的正常放電性能。華測Huace-DCS10KV儲能電介質充放電系統采用專門設計的電容放電電路來測量，測試電路如下圖所示。在該電路中，首先將介電膜充電到給定電壓，之后通過閉合高速MOS高壓開關，存儲在電容器膜中的能量被放電到電阻器負載的原理設計開發，更符合電介質充放電原理。
在實際應用中，當電介質或電容器充電后，存儲的能量被放電到外部負載，放電過程由負載、電工互連和電容器組成的整個電路決定，有時甚至
電纜的長度變化也會強烈的影響放電過程、電壓和電流波形。因此P-E回滯測量的放電條件與實際實用中的放電條件明顯不同，并且在實際應用中從P-E回滯環獲得的能量密度可能偏離（通常高于）真實的放電能量密度。
為了評估介電材料在類似于現實應用的放電條件下的性能，另一種測試方式用于測量介電材料的儲能特性。在測量過程中，首先將介電材料充電到給定的電壓，然后，將電容器中的存儲的能量放電到外部負載，如上圖，經測試的介電材料可以建模為理想的無損耗電容，與電阻{等效串聯電阻（ESR）}串聯，代表介質材料的損耗。很容易看出，當外部負載電阻RL》
華測Huace-DCS10KV儲能電介質充放電系統采用專門設計的電容放電電路來測量，測試電路如下圖所示。在該電路中，首先將介電膜充電到給定
電壓，之后通過閉合高速MOS高壓開關，存儲在電容器膜中的能量被放電到電阻器負載。在放電過程中電壓對樣品的時間依賴性可以通過檢波器進行記錄。介電材料的儲能性能通常取決于放電速度，可通過改變負載電阻器的電阻來調節。通常測試系統中裝了具有不同電阻的電阻器。在測試過程中，用戶需要選擇電阻器或幾個電阻器的組合獲得得所需的電阻，并將電阻器或電阻的組合連接到測試的電介質材料。在該電路中，選擇高壓MOSFET開關以釋放儲存的能量非常重要。該開關限制電路的放電速度max和充電電壓max。本套測試系統由放電采集電路、高壓放大器或高壓直流電源和控制計算機構成。在測試中，測試人員需要通過選擇合適的電阻來確定測量的放電速度，測試樣品上的電壓可以由計算機自動獲得。
電壓，之后通過閉合高速MOS高壓開關，存儲在電容器膜中的能量被放電到電阻器負載。在放電過程中電壓對樣品的時間依賴性可以通過檢波器進行記錄。介電材料的儲能性能通常取決于放電速度，可通過改變負載電阻器的電阻來調節。通常測試系統中裝了具有不同電阻的電阻器。在測試過程中，用戶需要選擇電阻器或幾個電阻器的組合獲得得所需的電阻，并將電阻器或電阻的組合連接到測試的電介質材料。在該電路中，選擇高壓MOSFET開關以釋放儲存的能量非常重要。該開關限制電路的放電速度max和充電電壓max。本套測試系統由放電采集電路、高壓放大器或高壓直流電源和控制計算機構成。在測試中，測試人員需要通過選擇合適的電阻來確定測量的放電速度，測試樣品上的電壓可以由計算機自動獲得。
與P-E回滯測量類似，在放電測試之前，應在介電材料的表面制備導電電極，還應測量可用于估計測試的放電速度的弱場介電特性。因為在測試中經常涉及幾千伏的高電壓，所以介電材料通常浸入硅油中。測試者應該確定他們感興趣的放電速度。放電速度可以通過樣品的低場電容C和負載電阻RL(RLC常數）粗略計算。一旦確定了期望的放電速度，就可以選擇負載電阻器并將其連接到測試樣品，然后將充電電壓施加到介電材料。一旦樣品完全充電，然后通過按下電路盒上的放電按鈕關閉高速開關，將儲存的能量釋放到負載電阻器，電阻器上電壓的時間依賴性就可由計算機自動記錄。
在此將以P（VDF-TrFE-CFE）三元共聚物（63／37／7.5）作為示例材料，來演示如何解釋放電結果。使用上圖所示的電路，表征三元共聚物對負載電阻器的放電行為。使用時間相關的電壓數據公式，可以計算放電能量密度的時間依賴性。圖中顯示了三元共聚物中不同充電電場的1MΩ負載的放電能量密度隨時間的變化?？偡烹娔芰棵芏扰c從單極P-E回路推導出的能量密度相當。這里使用薄膜樣品的電容在1kHz下測量為約1nF。對幾種三元共聚物膜樣品進行表征發現，由于極化響應的非線性和頻率依賴性，三元共聚物的放電特性不能簡單地通過RC常數來描述，其中R是電阻(R=RL+ESR)假設電容器電容不隨頻率、電場和RC電路和RC電路的時間常數(τ=RLC+ESRXC)變化，如果RL>ESR，可以忽略ESRXC,，則放電能量密度與時間的關系如下：
為了便于比較，使用1nF的電容和1MΩ的負載電阻，利用公式來估算能量放電時間。70％能量釋放所需理論放電時間為0.6ms，50％能量釋放所需理論放電時間為0.35ms。而實驗中，這兩種能量釋放所需放電時間分別為0.66ms和0.3ms。估計值和測量值之間的差異反映了非線性［有效介電
常數在高場（＞100MV／m）變?。莺徒殡婍憫念l率依賴性（介電常數在較為高的頻率或更短放電時間下變得更?。?。此外，ESR在高頻（或短放電時間）下很小，并且在放電后時間變長。
對于相同的三元共聚物薄膜電容器，其他負載電阻（(RLL分別為100kΩ和1kΩ）下放電能量密度如圖所示。正如預期的那樣，減小的RL會縮短放電時間。然而，仔細檢查實驗數據發現，放電時間的減少與RL的減少不成比例。
在此將以P（VDF-TrFE-CFE）三元共聚物（63／37／7.5）作為示例材料，來演示如何解釋放電結果。使用上圖所示的電路，表征三元共聚物對負載電阻器的放電行為。使用時間相關的電壓數據公式，可以計算放電能量密度的時間依賴性。圖中顯示了三元共聚物中不同充電電場的1MΩ負載的放電能量密度隨時間的變化?？偡烹娔芰棵芏扰c從單極P-E回路推導出的能量密度相當。這里使用薄膜樣品的電容在1kHz下測量為約1nF。對幾種三元共聚物膜樣品進行表征發現，由于極化響應的非線性和頻率依賴性，三元共聚物的放電特性不能簡單地通過RC常數來描述，其中R是電阻(R=RL+ESR)假設電容器電容不隨頻率、電場和RC電路和RC電路的時間常數(τ=RLC+ESRXC)變化，如果RL>ESR，可以忽略ESRXC,，則放電能量密度與時間的關系如下：
Uc(1)=UD(1-e-(21/t))
式中，UD為放電能量。為了便于比較，使用1nF的電容和1MΩ的負載電阻，利用公式來估算能量放電時間。70％能量釋放所需理論放電時間為0.6ms，50％能量釋放所需理論放電時間為0.35ms。而實驗中，這兩種能量釋放所需放電時間分別為0.66ms和0.3ms。估計值和測量值之間的差異反映了非線性［有效介電
常數在高場（＞100MV／m）變?。莺徒殡婍憫念l率依賴性（介電常數在較為高的頻率或更短放電時間下變得更?。?。此外，ESR在高頻（或短放電時間）下很小，并且在放電后時間變長。
對于相同的三元共聚物薄膜電容器，其他負載電阻（(RLL分別為100kΩ和1kΩ）下放電能量密度如圖所示。正如預期的那樣，減小的RL會縮短放電時間。然而，仔細檢查實驗數據發現，放電時間的減少與RL的減少不成比例。
大ESR時，部分儲存的能量將通過ESR（電介質材料tanδ、電極和連接電纜的電阻等）消散，并且來自RL測量的能量密度將遠遠小于存儲的能量密度（快速放電）。因此，如果RL》ESR，介質電容器的放電效率將取決于負載條件，并且可以非常高。RL的選取影響著測試的放電速度。較大的RL意味著較大的RLC常數（C是材料的電容）較慢的放電速度。在測試中，盡管可以固定RL，但是介電材料的電容是可能不是恒定的，因為材料介電性能具有場致依賴性。無論怎樣，總是可以使用負載電阻和弱場電容來估算放電速度，并選擇負載電阻進行測試。
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