憶阻器單元研發測試方案
神經元網絡是當代科研領域之一，神經元網絡的重要之一是新一代高速存儲單元組成的陣列。憶阻器英文名為memristor, 用符號M表示，與電阻R,電容C,電感L構成四種基本無源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關系的紐帶，其同時具備電阻和存儲的性能，是一種新一代超高速存儲單元，通常稱為阻變存儲器(RRAM)。
在研發方面，盡管目前已經有多種憶阻器面市，但實現機理仍不清楚，可靠性普遍不足，漲落大，需要有好的測試系統保駕護航。
在測試方面，RRAM的表征需要向嚴苛方向發展，原子級的原位表征，ps級脈沖擦寫及信號捕捉，大規模陣列的自動測試，這些都對測試系統的指標提出很高的要求。
在測試方面，RRAM的表征需要向嚴苛方向發展，原子級的原位表征，ps級脈沖擦寫及信號捕捉，大規模陣列的自動測試，這些都對測試系統的指標提出很高的要求。
作為存儲器，憶阻器同樣有 ＂置O"和 ＂置1"及讀操作，只不過 “置O"被稱為 “RESET", 即從低阻態(LRS)重置為高阻態(HRS)，反之被稱為SET,即置1”操作。但憶阻器在進行讀寫操作之前，需要做一次 “Forming",這個激發操作之后憶阻器件才具有正常的憶阻特性。在各個操作階段，都需要對RRAM特性進行表征，測試流程如下：
●Forming 前后特性驗證
○驗證Forming前后的電阻。通常沒有特殊的測試步驟，一般與憶阻器單元IV 特性測試結合在一起
●憶阻器單元1-V特性測試（通常與Forming結合）
○驗證Forming前后的電阻。通常沒有特殊的測試步驟，一般與憶阻器單元IV 特性測試結合在一起
●憶阻器單元1-V特性測試（通常與Forming結合）
○測試SET/RESET, HRS/LRS 1-V特性，憶阻器單元的基本測試
●高速脈沖測試
○用更窄脈寬的讀／寫脈沖序列進行讀寫測試，憶阻器單元的速度極限能力測試
●數據保留測試(Data retention)
○數據保存后，在不同的環境下持續讀出，測試憶阻器單元保存數據的持久力
●循環次數測試 (Endurance)
○高頻率寫，持續讀，驗證憶阻器單元的耐受力
在憶阻器初級研發階段，Forming及1-V特性測試為基本測試，高速脈沖測試驗證RRAM的極限功能。在憶阻器深入研發階段，注意要引入數據保留測試和循環次數，此時的測試系統不僅需要必需的儀器硬件， 更需要結合憶阻器的讀寫序列需要，進行軟件定制化的開發。
概述：
憶阻器研發面臨的挑戰：
憶阻器測試流程：
●4200A-SCS+4200-SMU+4225-PMU
○100fA分辨率10aA加前置放大器
○10mHz-10Hz 極低頻電容測試
○100μF負載電容
○200MS/s, 5ns采樣率40v(80Vp-p) 800mA
○任意波形編輯產生多電平脈沖，10ns編程分辨率
●手動探針臺
●軟件：Clarius
○100fA分辨率10aA加前置放大器
○10mHz-10Hz 極低頻電容測試
○100μF負載電容
○200MS/s, 5ns采樣率40v(80Vp-p) 800mA
○任意波形編輯產生多電平脈沖，10ns編程分辨率
●手動探針臺
●軟件：Clarius
1-V特性測試方案：
高速脈沖測試方案：
詳清請致電技術熱線13911821020
通用配置
●26xxSMU需有脈沖功能
●簡易探針
●Kick star或客戶自行編程
●簡易探針
●Kick star或客戶自行編程
低成本配置
方案優勢：
·●同時提供性能高的1-V測試及高速脈沖測試方案
●多種不同的配置方案，實現憶阻器不同的研發階段的客戶需求
●華測具有本地研發團隊，實現客戶定制化的系統集成測試需求
●多種不同的配置方案，實現憶阻器不同的研發階段的客戶需求
●華測具有本地研發團隊，實現客戶定制化的系統集成測試需求
|
|
