1. 由于MOSFET是多端口器件,所以需要多個測量模塊協同測試。
2. MOSFET的漏電越小越好,所以需要精度高的設備進行測試。
3. MOSFET動態電流范圍大,測試時需要量程范圍廣,且量程可以自動切換的模塊進行測試。
4.隨著MOSFET特征尺寸越來越小,自加熱效應成為影晌MOSFET可靠性的重要因素。脈沖測試可以減少自加熱效應。所以MOSFET需要進行脈沖 IV測試,用以評估器件的自加熱特性。
5. MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內容,且與其在高頻應用有密切關系。所以MOSFET的電容測試非常重要。由于MOSFET的電容是非線性,且不同頻率下曲線不同,所以需要能進行多頻率,多電壓下的CVU進行測試。